用BiCS Flash与XL-Flash构建存储新形态

随着铠侠将1亿IOPS目标SSD定档2028年，基于XL-Flash构建的铠侠GP系列正在为AI计算提供全新的可能。而放眼当下，基于第九代BiCS Flash和第十代BiCS Flash的企业级与数据中心级SSD也蓄势待发，PCIe 6.0 SSD产品正逐步进入企业用户的视野，存储领域正在根据AI需求激增而快速升级，并已经构建出了全新的存储解决方案。很显然，闪存正在AI时代下发挥出了更重要的作用。

用CBA技术实现存储与逻辑解耦

第九代与第十代BiCS Flash均源自第八代BiCS Flash确立的CBA（CMOS directly Bonded to Array）架构实现的，即把CMOS外围逻辑电路和存储单元阵列放在两片独立晶圆上分别制造，再用高精度晶圆对晶圆对准键合在一起，这一解耦让存储阵列和逻辑单元可以各自独立演进、独立投产。

CBA技术为第九代BiCS Flash以更低投资成本实现高性能，以及为第十代BiCS Flash靠先进堆叠冲超大容量与更高性能提供了技术保障。其中，第九代BiCS Flash将主要面向移动端、客户端SSD、UFS等对产能、可靠性敏感的市场。通过存储阵列复用成熟工艺，并升级CMOS大脑，进而实现在现有的产线上完成升级。目前基于第九代BiCS Flash的512Gb TLC和1Tb TLC都已经蓄势待发。

在性能上，基于第九代BiCS Flash的512Gb TLC对比第六代同容量产品，写入性能提升61%、读取性能提升12%、写入操作能效提升36%、读取操作能效提升27%、Toggle DDR6.0接口实现3.6Gb/s 速率、演示条件下最高4.8Gb/s。

第十代BiCS Flash则使用更高的成本实现性能与高存储密度，主要面向企业级与数据中心级SSD，瞄准AI存储对高性能、大容量、低功耗的需求。铠侠已于今年七月份开始送样基于第十代BiCS Flash的1Tb TLC产品，该产品由岩手县北上工厂Fab2制造。

第十代BiCS Flash拥有332层堆叠并优化横向密度，位密度较第八代提升59%，同时NAND接口4.8Gb/s，较第八代BiCS Flash提升33%。不仅如此，对应的QLC版本已经把位密度推到>37Gb/mm2，较第八代提升达60%，并成为全球首款跑到4.8Gb/s接口的QLC 3D闪存。

加速AI数据流

XL-Flash是基于BiCS Flash打造的存储级内存（SCM），目标是兼具接近内存的低延迟与闪存的非易失性，填补DRAM与SSD之间长期存在的性能鸿沟。第一代XL-Flash拥有16平面，4KB页，读取延迟可以做到5μs以内，是当年傲腾的竞争对手。随着第二代XL-Flash投入量产，并新增MLC版本，第二代XL-Flash Die容量已经翻倍至256Gb，能够显著降低成本。

即将到来的第三代XL-Flash则将会启用CBA技术，并把延迟压到BiCS Flash的10%以下，专为超高IOPS设计，并将成为未来释放AI算力的重要支持部件。

目前，采用第二代XL-Flash，并搭配PCIe 6.0协议的铠侠GP系列已经做到了1000万IOPS的性能。基于第三代XL-Flash，并搭配PCIe 7.0的新品则将直接冲击1亿IOPS。全新的产品将重构存储的延迟与层级形态，为LLM训练数据集、RAG向量库这类对延迟和IOPS极敏感的生成式AI负载提供强有力的保障。

可以看到，CBA架构正在帮助BiCS Flash，乃至XL-Flash为整个存储生态带来全新变化。铠侠通过不断推进超高速IOPS SSD产品，为HBM的下沉缓存层提供强有力的保障。

随着GPU侧HBM容量与成本瓶颈日益凸显，KV Cache、向量索引等热数据的下沉卸载正成为AI训练与推理的刚需，而XL-Flash正以接近内存的微秒级延迟和非易失大容量，精准填补HBM/DRAM与传统NAND之间长期空缺的性能层级。从BiCS Flash对容量与成本的重构，到XL-Flash对存储金字塔的重新分层，铠侠正在让存储从被动的数据容器，转变为与算力协同调度、直接参与AI数据流的主动一环。